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专利名称: 通过施加电流实现原子力显微镜纳米沉积的方法
其他题名: Method for achieving atomic force microscope (AFM) nano deposition by applying current
作者: 焦念东; 刘增磊; 刘连庆
所属部门: 机器人学研究室
专利权人: 中国科学院沈阳自动化研究所
专利代理: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002
专利国别: 中国
专利类型: 发明
专利状态: 审查
摘要: 本发明公开一种通过施加电流实现原子力显微镜(AFM)纳米沉积的方法,即通过向AFM针尖和基底施加一定电流并控制电流的大小,实现AFM导电探针上的原子沉积到基底上,形成导体沉积点,该沉积点可用于纳米点阵结构的加工及纳米器件中对纳米材料的焊接。本发明不但可以加工出重复性好、精度高的沉积点,而且可以灵活的控制沉积点的大小。并且本发明的方法还可以用来加工纳米线。
英文摘要: The invention discloses a method for achieving atomic force microscope (AFM) nano deposition by applying a current. According to the method, by means of application of the certain current onto an AFM pinpoint and substrate and control of the magnitude of the current, atoms on an AFM conducting probe are deposited on the substrate to form a conductor deposition point, and the conductor deposition point can be used for processing a nano lattice structure and welding nano materials in a nano device. By means of the method for achieving AFM nano deposition by applying the current, the deposition point with good repeatability and high precision can be processed, and meanwhile, the size of the deposition point can be flexibly controlled; the method can be used for processing nanowires.
是否PCT专利:
申请日期: 2012-12-19
公开日期: 2014-06-25
专利申请号: CN201210555839.2
公布/公告号: CN103879955A
语种: 中文
产权排序: 1
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.sia.cn/handle/173321/15015
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焦念东,刘增磊,刘连庆. 通过施加电流实现原子力显微镜纳米沉积的方法. CN103879955A. 2014.
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文件名: CN201210555839.2.pdf
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