SIA OpenIR  > 工业控制网络与系统研究室
安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法
其他题名High-reliability storage and diagnosis method for external SRAMs (static random access memories) of safety instrument transmitters
徐皑冬; 闫炳均; 宋岩; 王志平; 刘元锋; 刘梁梁
所属部门工业控制网络与系统研究室
专利权人中国科学院沈阳自动化研究所
专利代理人沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002
授权国家中国
专利类型发明
专利状态有权
摘要本发明涉及安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法。本发明用于在MCU运行的过程中对外部SRAM进行数据存储和数据诊断,MCU首先将基础数据写入CPLD,CPLD将所述基础数据处理成另一差异性数据,在MCU的写信号控制下将所述基础数据写入一片SRAM中,将所述差异性数据写入另一片SRAM中;CPLD在接收到MCU的读信号时,将两个数据从两片SRAM中读入到CPLD中,进行数据诊断,如果数据诊断无错误,则将所述基础数据送入MCU,否则产生报警信号。本发明具备了存储和诊断的两种功能,不仅能够实时的对数据进行存储和诊断,还能诊断出SRAM软故障引起的故障失效,而且主控制器运行开销比较小,主控制器利用率比较高。
其他摘要The invention relates to a high-reliability storage and diagnosis method for external SRAMs (static random access memories) of safety instrument transmitters. The high-reliability storage and diagnosis method is used for storing and diagnosing data of the external SRAMs in MCU (micro-control unit) running procedures. The high-reliability storage and diagnosis method includes enabling an MCU to write basic data into a CPLD (complex programmable logic device) at first, enabling the CPLD to process to each basic datum to obtain a difference datum, writing the basic data into one SRAM under the control of write signals of the MCU and writing the difference data into the other SRAM under the control of the write signals of the MCU; reading each basic datum and each difference data from the two SRAMs when read signals of the MCU are received by the CPLD, writing the basic data and the difference data into the CPLD, diagnosing the data, transmitting the basic data into the MCU if the diagnosed data are free of errors, or generating alarm signals if the diagnosed data have errors. The high-reliability storage and diagnosis method has the advantages that the high-reliability storage and diagnosis method has storage and diagnosis functions, the data can be stored and diagnosed in real time, failure invalidation due to soft failures of the SRAMs can be diagnosed, and a main controller is low in running overhead and high in utilization rate.
PCT属性
申请日期2013-12-24
2015-06-24
授权日期2017-02-15
申请号CN201310726591.6
公开(公告)号CN104731677A
语种中文
产权排序1
文献类型专利
条目标识符http://ir.sia.cn/handle/173321/15937
专题工业控制网络与系统研究室
作者单位中国科学院沈阳自动化研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
徐皑冬,闫炳均,宋岩,等. 安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法[P]. 2015-06-24.
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