SIA OpenIR  > 工业控制网络与系统研究室
一种基于激光诱导击穿光谱的铝电解质分子比检测方法
孙兰香; 于海斌; 丛智博; 曾鹏
Department工业控制网络与系统研究室
Rights Holder中国科学院沈阳自动化研究所
Patent Agent沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002
Country中国
Subtype发明
Status公开
Abstract本发明涉及一种基于激光诱导击穿光谱的铝电解质分子比检测方法。该方法在对分析样本破坏量很小的情况下对已知分子比的工业铝电解质样本进行光谱数据采集,根据得到的光谱谱线,建立分子比倒数与电解质内指定元素特征光谱谱线的回归模型,然后对待测样品进行检测,得出LIBS光谱谱线后,根据分析模型推算出电解质分子比。此方法巧妙的利用了铝电解质中分子比与LIBS元素光谱谱线的回归关系,充分利用LIBS光谱技术谱线丰富的优势。相对于目前传统的荧光光谱分析法,此方法具有分析速度快,重复性强,检测精度高,成本低的优点。
PCT Attributes
Application Date2017-10-17
2019-04-23
Application NumberCN201710966384.6
Open (Notice) NumberCN109668862A
Language中文
Contribution Rank1
Document Type专利
Identifierhttp://ir.sia.cn/handle/173321/24632
Collection工业控制网络与系统研究室
Affiliation中国科学院沈阳自动化研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
孙兰香,于海斌,丛智博,等. 一种基于激光诱导击穿光谱的铝电解质分子比检测方法[P]. 2019-04-23.
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