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Analytic Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic GAA MOSFET Including SDT effect 会议论文
2020 3rd International Conference on Advanced Algorithms and Control Engineering (ICAACE), Zhangjiajie, China, April 24-26, 2020
Authors:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Yang ZJ(杨志家);  Zhang ZP(张志鹏)
Adobe PDF(982Kb)  |  Favorite  |  View/Download:46/7  |  Submit date:2020/08/01
Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
Authors:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超);  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家);  Nakazato, Kazuo;  Zhang ZP(张志鹏)
Adobe PDF(1513Kb)  |  Favorite  |  View/Download:83/22  |  Submit date:2020/07/11
ballistic transport  cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET  compact model  Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation  the source-to-drain tunneling  
基于IEEE802-15-4标准的安全服务协处理器的实现方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN109962766A, 公开日期: 2019-07-02,
Inventors:  董策;  于海斌;  杨志家;  谢闯;  王剑;  段茂强;  张志鹏;  张超
Adobe PDF(497Kb)  |  Favorite  |  View/Download:74/11  |  Submit date:2019/07/09
一种高精度低功耗RC振荡器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN108011590A, 公开日期: 2018-05-08,
Inventors:  张志鹏;  杨志家;  焦平;  刘铁峰;  谢闯
Adobe PDF(500Kb)  |  Favorite  |  View/Download:92/20  |  Submit date:2018/06/19
Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic Gate-All-Around MOSFET Including the Source-to-drain Tunneling 会议论文
Journal of Physics: Conference Series, Male, Maldives, March 6-8, 2018
Authors:  Cheng H(程贺);  Zhang ZP(张志鹏);  Yang ZJ(杨志家);  Liu ZF(刘志峰)
Adobe PDF(805Kb)  |  Favorite  |  View/Download:146/11  |  Submit date:2018/07/01
应用于WIA-PA协议的安全协处理器的实现方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN106788968A, 公开日期: 2017-05-31,
Inventors:  董策;  于海斌;  杨志家;  谢闯;  王剑;  段茂强;  张志鹏;  张超
Adobe PDF(569Kb)  |  Favorite  |  View/Download:202/20  |  Submit date:2017/06/12
一款深亚微米射频SoC芯片的后端设计与实现 期刊论文
微处理机, 2017, 期号: 6, 页码: 1-6
Authors:  张志鹏;  张超;  刘铁锋
Adobe PDF(1708Kb)  |  Favorite  |  View/Download:93/5  |  Submit date:2018/01/25
片上系统芯片  后端布局  多时钟设计  时钟生成  后端流程  供电设计  
一种应用于MCU待机模式的超低功耗LDO设计 期刊论文
微处理机, 2017, 期号: 6, 页码: 33-36
Authors:  张超;  张志鹏;  刘铁锋
Adobe PDF(1435Kb)  |  Favorite  |  View/Download:123/7  |  Submit date:2018/01/25
微控制器  Ldo电路  低功耗  待机模式  输出级  上电复位  
一种低功耗精确的休眠定时器电路及方法 专利
专利类型: 发明授权, 专利号: CN105703749B, 公开日期: 2016-06-22, 授权日期: 2018-07-20
Inventors:  谢闯;  董策;  段茂强;  张志鹏;  杨志家;  王剑;  崔书平
Adobe PDF(561Kb)  |  Favorite  |  View/Download:111/10  |  Submit date:2018/08/04
一种低功耗精确的休眠定时器电路及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN105703749A, 公开日期: 2016-06-22, 授权日期: 2018-07-20
Inventors:  谢闯;  董策;  段茂强;  张志鹏;  杨志家;  王剑;  崔书平
Adobe PDF(2162Kb)  |  Favorite  |  View/Download:146/11  |  Submit date:2016/09/07